近日,北方华创在投资者互动平台上表示,公司在HBM(高带宽存储器)芯片制造及先进封装领域,已具备提供多款关键核心设备的能力,覆盖刻蚀、薄膜沉积、热处理、湿法清洗、离子注入等多项关键工艺环节。此举再次凸显了北方华创在半导体设备国产化进程中的技术厚度与战略布局。
多款核心设备赋能HBM制造
随着AI、HPC(高性能计算)、自动驾驶等新兴技术的迅猛发展,对高速、高带宽内存的需求持续提升,HBM芯片已成为全球存储技术发展的前沿方向。HBM芯片因其采用3D堆叠架构和硅通孔(TSV)封装技术,对制造精度、热控制能力及材料工艺的要求极高。
北方华创在HBM芯片制造过程中,能够提供多个关键节点所需的设备支持。例如:
等离子体刻蚀设备:实现硅通孔的高纵深比结构刻蚀,是HBM芯片堆叠的基础;
薄膜沉积设备:用于在晶圆表面沉积电介质和导电材料,保障器件间层间连接的稳定性;
热处理设备:优化材料晶体结构,提升器件性能和良率;
湿法清洗系统:保障芯片在多道关键制程中表面洁净度,防止缺陷产生;
离子注入设备:实现精确掺杂,控制器件电性特征,是HBM核心元件精密控制的重要环节。
这些关键设备不仅为HBM制造提供了全流程支持,也为客户在高端芯片研发和量产过程中,提供更具竞争力的国产化替代方案。
抢滩先进封装技术高地
除了HBM,北方华创也在先进封装领域持续发力。随着摩尔定律逐渐放缓,先进封装正成为驱动半导体性能提升的关键突破口。2.5D/3D封装、Chiplet(小芯片)集成、CPO(共封装光学)等新兴封装技术不断涌现,对设备的精密性、可靠性和工艺多样性提出了更高要求。
北方华创在此领域已提前布局,通过提供高度定制化的刻蚀、沉积、清洗与热处理等设备解决方案,支持多层芯片堆叠、高密度互联与多芯片协同封装,有效助力客户推动高密度、低功耗、低延迟的封装产品落地。
国产化替代战略的重要一环
在当前国际技术环境复杂多变的背景下,国产半导体设备厂商正迎来前所未有的历史机遇。北方华创通过多年自主研发与技术积累,已成功实现多款设备在存储、逻辑、功率、先进封装等核心领域的规模应用。
尤其在HBM与先进封装技术快速演进的当下,北方华创的设备产品不仅帮助下游芯片企业突破关键“卡脖子”技术,还有效提升了整个产业链的稳定性与自主可控能力。
公司也在不断加强与本土芯片设计企业、晶圆代工厂、封测龙头的技术协同,通过联合研发、技术验证、定制优化等形式,实现设备产品与客户工艺需求的深度融合。
结语
面对全球半导体产业技术更迭加快与竞争加剧的格局,北方华创以持续的技术创新和高质量设备制造能力,为中国在HBM和先进封装等关键领域抢占制高点提供有力支撑。未来,随着更多核心设备实现国产替代,北方华创有望在“强链补链”的国家战略中,扮演更加重要的角色。
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